• 无压碳化硅与反应烧结碳化硅密封环生产工艺

    它们的主要不同点： 1、配料：无压烧结碳化硅采用W0.5碳化硅微粉，而反应烧结碳化硅采用W10+W14的微粉 2、烧结方法不同：无压碳化硅采用氩气的氛围中微正压烧结，且烧结温度高达2000多度。而反应碳化硅采用烧结件加硅片在真空中温度在1500多度烧结。当然无压与反应在各个工序内容差别都是很大，且产品性能、生产成本也不一样的。

    넶1 2022-12-16

  • 二硅化钼电热元件的电气性质

    二硅化钼电热元件的电阻率随着温度的升高而迅速增加。在正常操作情况下，元件电阻一般不随使用时间的长短而变化。因此，新旧元件可以混合使用。

    넶4 2022-12-13